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氮化鎵(GaN)
氮化鎵(GaN)
home主頁圖標 氮化鎵 碳化硅 IGBT 氮化鎵(GaN)

氮化鎵(GaN)

第三代半導體材料:以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表,是5G時代的主要材料。

起源時間:M國早在1993年就已經研制出第一支氮化鎵的材料和器件。而我國最早的研究隊伍——中國科學院半導體研究所,在1995年也起步了該方面的研究。

重點:市場上從半年前炒氮化鎵的充電器時,市場的反應一直不夠強烈,那是因為當時第三代半導體還沒有被列入國家“十四五”這個層級的戰略部署上,所以單憑氮化鎵這一個概念,是不足以支撐整個市場邏輯的!

發展現狀:在5G通信、新能源汽車、光伏逆變器等應用需求的明確牽引下,目前,應用領域的頭部企業已開始使用第三代半導體技術,也進一步提振了行業信心和堅定對第三代半導體技術路線的投資。

性能升級:專業名詞咱們就不贅述了,通俗的說,到了第三代半導體材料這兒,更好的化合物出現了,性能優勢就在于耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導電性能更強、工作速度更快、工作損耗更低。

有一點我覺得需要單獨提一下:碳化硅與氮化鎵相比較,碳化硅的發展更早一些,技術成熟度也更高一些;兩者有一個很大的區別是熱導率:在高功率應用中,碳化硅占據統治地位;氮化鎵具有更高的電子遷移率,因而能夠比碳化硅具有更高的開關速度,所以在高頻率應用領域,氮化鎵具備優勢。

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